ФЭНДОМ


Файл:3D XPoint.png

3D XPoint (читается «Шаблон:Lang-en2» — «трёхмерное пересечение»[1]) — технология энергонезависимой памяти, анонсированная корпорациями Intel и Micron в июле 2015 года. Устройства компании Intel, использующие данную технологию, будут использовать торговую марку Optane, а Micron — QuantX.

Подробная информация об использованных материалах и физических принципах по состоянию на конец 2016 года не разглашалась. Для записи информации в ячейках памяти используется изменение сопротивления материала. Ячейки, предположительно вместе с неким селектором, расположены на пересечении перпендикулярных линии адресации слов и битов. Технология допускает реализацию с несколькими слоями ячеек. Устройства на базе памяти 3D XPoint предполагаются как для установки в разъёмы для оперативной памяти DDR4 (Шаблон:Iw), так и PCI Express (NVM Express).

Технология Править

Разработка 3D Xpoint началась примерно в 2012 году[2]. Ранее Intel и Micron уже занимались совместной разработкой других типов энергонезависимой памяти на фазовых переходах (PCM)[3]; по сообщениям сотрудника Micron, архитектура 3D Xpoint отличается от предыдущих вариантов реализации PCM-памяти и использует халькогенидные материалы как для селектора, так и для хранения данных в ячейках памяти. Такие материалы быстрее и более стабильны, чем традиционные для PCM материалы, например, как GeSbTe (GST)[4].

В 2015 году отмечалось, что технология «не основана на электронах»[5], а также что используется изменение электрического сопротивления материалов и возможна побитовая адресация[6]. Отмечалось также некоторое сходство с резистивной памяти произвольного доступа, разрабатываемой компанией Шаблон:Iw, но использование при этом других физических принципов для хранения информации[2][7]. Генеральный директор Intel Брайан Кржанич, отвечая на вопросы о материалах XPoint, уточнил, что переключение основано на «объёмных свойствах материала» (Шаблон:Lang-en)[8]. Также заявлялось, что 3D Xpoint не использует изменение фазового состояния материала или технологии «мемристоров»[9].

По данным СМИ, другие компании не представили рабочих вариантов резистивной памяти или памяти на изменении фазовых состояний, которые бы достигли такого же уровня производительности и надёжности, как XPoint[10].

Отдельные ячейки памяти в XPoint адресуются при помощи селектора, и для доступа к ним не требуется транзистор (как в технологиях NAND и DRAM), что позволяет уменьшить площадь ячейки и увеличить плотность их размещения на кристалле[11].

Производство Править

В 2015 году фабрика IM Flash — совместное предприятие Intel и Micron в Шаблон:Iw (штат Юта) — изготовила с применением технологии небольшое количество чипов объёмом 128 Гбит, они использовали два слоя ячеек по 64 Гбит каждый[2][12]. В начале 2016 года генеральный директор IM Flash Ги Блалок озвучил оценку, что массовое производство чипов начнётся не ранее чем через 12—18 месяцев[13].

В середине 2015 года Intel объявила об использовании бренда «Optane» для продуктов хранения данных на базе технологии 3D XPoint[14], а в марте 2017 года выпущен первый NVMe-накопитель с памятью 3D XPoint — Optane P4800X[15].

Оценки производительности Править

В начале 2016 года IM Flash заявила, что первое поколение твердотельных накопителей достигнет 95 тысяч операций ввода-вывода в секунду и с задержками порядка 9 микросекунд[13]. На форум Intel для разработчиков в 2016 году были продемонстрированы PCIe-накопители объёмом 140 ГБ, показавшие в двух-трёхкратное улучшение показателей по сравнению с твердотельными накопителями NVMe на NAND[16].

В середине 2016 года Intel заявляла, что по сравнению с флеш-памятью NAND новая технология имеет в 10 раз меньшие задержки операций, в 3 раза более высокий ресурс по перезаписи, в 4 раза большее количество операций записи в секунду, в 3 раза большее количество операций чтения в секунду, используя при этом около 30 % от энергопотребления флеш-памяти[17][18].

В октябре 2016 года вице-президент подразделения решений для хранения данных Micron заявил, что «3D Xpoint будет примерно в два раза дешевле DRAM, и четыре-пять раз дороже, чем флеш-память NAND» (при равном объёме)[19][20], но ниже, чем у DRAM[21].

См. также Править

Примечания Править

  1. Шаблон:Citation
  2. Ошибка цитирования Неверный тег <ref>; для сносок ee1 не указан текст
  3. Intel и Numonyx представили 64 Гбит стекируемые чипы PCM в 2009: Шаблон:Citation
  4. Ошибка цитирования Неверный тег <ref>; для сносок ee4 не указан текст
  5. Шаблон:Citation
  6. Ошибка цитирования Неверный тег <ref>; для сносок extremetech не указан текст
  7. Ошибка цитирования Неверный тег <ref>; для сносок ee2 не указан текст
  8. Ошибка цитирования Неверный тег <ref>; для сносок ee3 не указан текст
  9. Ошибка цитирования Неверный тег <ref>; для сносок reg1 не указан текст
  10. By Chris Mellor, The Register. «Goodbye: XPoint is Intel’s best exit from NAND production hell.» April 21, 2016. April 22, 2016.
  11. Шаблон:Cite web
  12. Ошибка цитирования Неверный тег <ref>; для сносок ana1 не указан текст
  13. 13,0 13,1 Шаблон:Citation
  14. Шаблон:Citation
  15. Шаблон:Cite news
  16. Шаблон:Cite news
  17. Шаблон:Cite web
  18. Шаблон:Dead linkhttps://hubb.blob.core.windows.net/5a741d00-0c8a-45e4-9112-cfe073fe4ed1-published/3fde87a3-3307-485e-8528-2c1f6436d737/MASTC01%20-%20MASTC01_-_SF16_MASTC01_102?sv=2014-02-14&sr=c&sig=QY6WHaQ267MeMFMaYT%2BfUJuBzMTkEwjrsv7%2BCzSr6pY%3D&se=2016-10-09T17%3A50%3A09Z&sp=r
  19. Шаблон:Cite web
  20. Шаблон:Cite web
  21. Ошибка цитирования Неверный тег <ref>; для сносок hh1 не указан текст

Ссылки Править

Шаблон:Computer-stub

Обнаружено использование расширения AdBlock.


Викия — это свободный ресурс, который существует и развивается за счёт рекламы. Для блокирующих рекламу пользователей мы предоставляем модифицированную версию сайта.

Викия не будет доступна для последующих модификаций. Если вы желаете продолжать работать со страницей, то, пожалуйста, отключите расширение для блокировки рекламы.

Также на ФЭНДОМЕ

Случайная вики