ФЭНДОМ


Файл:FB-DIMM.JPG

Fully Buffered DIMM, FB-DIMM (Полностью буферизованная DIMM) — стандарт компьютерной памяти, который используется для повышения надежности, скорости, и плотности подсистемы памяти. В традиционных стандартах памяти линии данных подключаются от контроллера памяти непосредственно к линиям данных каждого модуля DRAM (иногда через буферные регистры, по одной микросхеме регистра на 1–2 чипа памяти). С увеличением ширины канала или скорости передачи данных, качество сигнала на шине ухудшается, усложняется разводка шины. Это ограничивает скорость и плотность памяти. FB-DIMM использует другой подход для решения этих проблем. Это дальнейшее развитие идеи registered модулей — Advanced Memory Buffer осуществляет буферизацию не только сигналов адреса, но и данных, и использует последовательную шину к контроллеру памяти вместо параллельной.
Спецификации FB-DIMM, как и другие стандарты памяти, опубликованы JEDEC.

Технология Править

Файл:FB-DIMM system organization.svg

Архитектура Fully Buffered DIMM вводит новую микросхему Advanced Memory Buffer (AMB), расположенную между контроллером памяти и чипами DRAM. В отличие от параллельной шины, используемой в традиционных системах DRAM-памяти, в FB-DIMM используется последовательная шина между контроллером памяти и AMB.[1] Так достигается увеличение «ширины» (канальности) памяти без чрезмерного увеличения количества контактов контроллера памяти. В архитектуре FB-DIMM контроллер памяти не занимается непосредственной записью в чипы памяти; эта функция перенесена в AMB. В этом чипе происходит регенерация и буферизация сигналов. В дополнение AMB реализует обнаружение и коррекцию ошибок. С другой стороны, наличие AMB с промежуточным буфером увеличивает латентность.

Используется пакетный протокол, кадры могут содержать данные и команды. Среди команд можно выделить команды DRAM (активация строки — RAS, чтение столбца — CAS, обновление — REF и др.), команды управления каналом (например, запись в конфигурационные регистры), команды синхронизации. Каналы связи несимметричны и однонаправлены, от основного контроллера памяти следует канал шириной 10 бит (10 диф. пар) для команд и для данных, к нему шириной 14 бит — для данных и для статусных сообщений. AMB чипы одного канала памяти организуются в цепочки, то есть шина от контроллера памяти следует на первый AMB канала. Каждый последующий AMB подключается по принципу точка-точка к предыдущему.[2]

Канал FB-DIMM работает на частоте, в 6 раз большей частоты DIMM, например для FB-DIMM на базе чипов памяти DDR2-533 (частота 533 МГц) дифференциальный канал будет работать на частоте 3,2 ГГц. Для передачи одного кадра требуется 12 циклов шины. Размер кадра от контроллера памяти к AMB равен 120 битам, размер кадра от AMB равен 168 битам. Кадры содержат CRC и заголовок.[3]

Пропускная способность одного канала на чтение у FB-DIMM совпадает с таковой у соответствующего модуля DDR2 или DDR3 (при одинаковой частоте чипов памяти)[3]. Пропускная способность по записи у FB-DIMM в 2 раза ниже чем у DDR*[3], однако, в отличие от полудуплексного DDR, FB-DIMM позволяет производить и чтение и запись одновременно.

Применение Править

Intel использовала память FB-DIMM в системах с процессорами Xeon серий 5000 и 5100 и новее.[4] Память FB-DIMM поддерживается серверными чипсетами 5000, 5100, 5400, 7300; только с процессорами Xeon, основанными на микроархитектуре Core (сокет LGA 771).

Компания Sun Microsystems использовала FB-DIMM для серверных процессоров Niagara II (UltraSparc T2).[5]

Модуль FB-DIMM имеет 240 контактов и одинаковую длину с другими модулями DDR DIMM, но отличается по форме выступов. Подходит только для серверных платформ.

Энергопотребление Править

Большую часть электроэнергии в системе на базе FB-DIMM потребляют и рассеивают чипы AMB, при этом их потребление зависит от местонахождения в канале. Если данный чип находится в середине цепочки, то ему требуется поддерживать 2 высокоскоростных соединения, одно в сторону контроллера памяти и одно в сторону AMB, находящихся дальше в цепочке. Чипы, находящиеся ближе к контроллеру памяти, занимаются также пересылкой пакетов от более далеких чипов.[6]

Энергопотребление одного чипа AMB может доходить до 10 Вт (DDR2-800)[6]. Модули FB-DIMM практически всегда снабжаются радиаторами для более эффективного теплоотвода.

Перспективы Править

В сентябре 2006 года AMD отказалась от планов по использованию FB-DIMM [7]

На форуме Intel Developer Forum 2007, было заявлено, что крупнейшие производители памяти не планируют расширять FB-DIMM для поддержки памяти DDR3 SDRAM (предполагаемая система FB-DIMM2[8]). Для систем, требующих большого объема памяти была продемонстрирована созданная по другим принципам регистровая память DDR3 (RDDR3, DDR3 RDIMM)[9]

В 2007 компания Intel продемонстрировала память FB-DIMM с более низкой латентностью CL5 и CL3.[10]

В августе 2008 Elpida Memory заявила о планах по производству FB-DIMM с объемом 16 Гигабайт к концу 2008 года,[11] однако на 2011 год такие модули так и не были выпущены, а пресс-релиз был удален с сайта[12]

Литература Править

  • Memory Systems: Cache, DRAM, Disk. Bruce Jacob, Spencer Ng, David Wang. 900 страниц. — Elsevier, 2007 ISBN 0-12-379751-9

Примечания Править

Обнаружено использование расширения AdBlock.


Викия — это свободный ресурс, который существует и развивается за счёт рекламы. Для блокирующих рекламу пользователей мы предоставляем модифицированную версию сайта.

Викия не будет доступна для последующих модификаций. Если вы желаете продолжать работать со страницей, то, пожалуйста, отключите расширение для блокировки рекламы.

Также на ФЭНДОМЕ

Случайная вики